岡野 晃子 | 名大・理
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概要
関連著者
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中井 靖男
名大・理
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大同工業大学電気工学科
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日本電子株式会社内新技術事業団高柳プロジェクト
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住 斉
筑波大・物工
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住 斉
東京大学大学院理学系研究科生物科学専攻人類学教室:筑波大学
著作論文
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験