14p-H-10 電子顕微鏡像に見られるいわゆる異常透過に反する現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-10-14
著者
関連論文
- 26p-P-4 TEDによるBragg反射励起を利用した表面構造解析 : Si(111)√×√- Agへの適用
- 2a-N-8 表面接触入射X線回折法(そのII)
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 29a-WC-6 Ga(100), (110)表面からのレーザー誘起原子脱離
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
- 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 28p-Z-1 Gap(110)表面からのレーザー誘起原子放出 : 微量Ga原子吸着の効果
- 14p-H-10 電子顕微鏡像に見られるいわゆる異常透過に反する現象
- 隠居の直言 中教審の答申への一意見
- 教育に関する一言
- 日本人の独創性--素人の放談 (国際化時代の応用物理) -- (独創的研究への提言)
- 私の教育論 (計測制御・応用物理一般)
- 宝探しの二つの方法 (〔応用物理〕創刊50周年記念特集号)
- 超微粒子研究の生い立ちと将来展望
- 電子顕微鏡による原子像のコントラスト--普通型と走査型との比較 (Electron Microscopy 1976(東昇教授定年退官記念シンポジウム))
- 金属超微粉の工業的製法と応用
- 電子顕微鏡の過去と現在
- 常温核融合は確証されたのか
- 12a-P-1 新しいモワレ法の原理
- 64 輝水鉛鑛劈開面上に於ける金屬結晶の方位配列(第2囘(昭和22年度)年會)
- 真空技術昔話 (日本真空協会25周年記念特集)
- (1) TRS-80形電子顕微鏡 : 昭和37年度日本機械学会賞審査経過報告
- 隠居の超微粒子談義(固体物理学の周辺)
- 超微粒子研究への序説 (超微粒子)
- 基礎研究の恩
- カルノーのサイクルと角型サイクル : 松本の論文を巡っての討論
- ガス蒸発法で作成した微細結晶の晶癖(III) 超高真空装置によるSnの実験
- ガス蒸発法で作成した微細結晶の晶癖(I)Mg, ZnおよびCd
- 名古屋大学の電子回折と電子顕微鏡()
- 低圧不活性ガス中の蒸発で作った金属粒子の形態と構造(結晶のモルフォロジー)
- セッション印象記 : Film : 第4回気相成長およびエピタキシー国際会議ならびにスペシャリスト・スクール
- 退官雑感
- 起潮力
- 半導体レーザーを用いた高温フィラメントの熱歪変形の光学的検出法
- 熱フィラメント・気相成長によるダイヤモンドの低温高密度核生成
- 28a-ZF-2 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出 : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 28p-Z-2 GaAs(110)表面のレーザー誘起原子放出におけるハロゲン原子吸着効果
- 4a-U-2 表面構造層からの菊池パターン
- 3a-U-6 Si(111)7×7構造とRHEED強度
- 28a-P-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果
- 3p-M-11 極低温電子回折 V
- 2p GK-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学効果
- 5a-BK-4 Si(III)清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果(III)
- 5a-BK-1 極低温電子回折(V)
- 1a-BF-7 極低温電子回析
- 1a-BF-6 Si(111)清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果 (II)
- 9a-Z-11 S(111)清浄表面の高速電子回折における動力学的効果
- 9a-Z-1 極低温電子回折
- 27p-PSA-22 NaCl清浄表面の電子励起原子放出(その2) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PS-29 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 9a-N-8 結晶の暑さに依存する菊池線コントラストの反射
- 5p-NC-7 超高圧電子顕微鏡による骨格筋アクチンの結晶構造解析
- 3a-P-10 菊池バンドの出来方と実験条件
- 3a-E-4 菊池バンドコントラストの反転
- 27p-C-13 レーザー照射によるGaP表面構造変化
- 2p-RJ-8 Au(111)表面へのCu^イオンの電気化学的単原子層吸着過程
- 29p-A-7 Bragg反射励起下の表面超格子のTED強度 : 非対称ラウエケースへの一般化
- 30a-D-4 マイクロビーム透過電子線回折法による表面構造研究 (I)
- 29a-D-1 RHEEDロッド強度測定法によるSi(111)7×7垂直構造の解析
- 4p-NR-4 Si(111)7×7構造とRHEED強度(III)
- 1a-N-9 Si(111)7×7構造とRHEED強度(II)
- 3p-U-2 RHEEDの強度
- 11p-J-8 入射点近傍の菊池バンドの実験的解析
- 6a-KE-6 菊地バンド・コントラストからの異常吸収係数の測定