5p-NC-7 超高圧電子顕微鏡による骨格筋アクチンの結晶構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-09-14
著者
-
谷口 美恵子
名大理
-
神谷 芳弘
豊田工大
-
中井 靖男
大同工業大学電気工学科
-
中井 靖男
名大理物理
-
谷口 美恵子
名大理 物理
-
後藤 俊明
名大理 物理
-
中井 靖男
名大理 物理
-
神谷 芳弘
豊田工大 物理
関連論文
- 26p-P-4 TEDによるBragg反射励起を利用した表面構造解析 : Si(111)√×√- Agへの適用
- 2a-N-8 表面接触入射X線回折法(そのII)
- 1a-RH-1 放射光を用いたTMV-T及びTMV-CのX線回折
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 30a-SG-3 GaAs型偏極電子源の開発 I
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 29a-WC-6 Ga(100), (110)表面からのレーザー誘起原子脱離
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出
- 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
- 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 28p-Z-1 Gap(110)表面からのレーザー誘起原子放出 : 微量Ga原子吸着の効果
- 27a-Q-2 位相ゾーンプレートを用いたX線顕微鏡の開発
- 14p-H-10 電子顕微鏡像に見られるいわゆる異常透過に反する現象
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 29p-D-5 H-Meromyosinの蛍光の温度変化
- 30p-ZH-7 UVSOR光を用いた筋タンパク質の低温蛍光分光
- 半導体レーザーを用いた高温フィラメントの熱歪変形の光学的検出法
- 熱フィラメント・気相成長によるダイヤモンドの低温高密度核生成
- 28a-ZF-2 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出 : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 3p-K-4 TMV蛋白質のassembly
- 3R39 プロトプラストの電気融合過程におけるミクロヒラメントのネットワーク形成
- 1a-R-7 400 keV〜1MeV電子によるチャネリング放射光 I
- 2P116 AFMで捉えたミオシン分子の柔軟性(分子モーター,ポスター発表,第45回日本生物物理学会年会)
- 3P172 牡蛎のミオシン軽鎖の解離反応の原子間力顕微鏡による直接観察(分子モーター))
- 1P173 牡蛎ミオシン1分子の2価金属イオンによる構造変化(筋肉 : 筋蛋白・収縮)
- AFMで捕らえたPlasmid DNA 1分子の構造変化
- ミオシン1分子の構造変化
- 1E0945 ミオシン1分子の構造変化と張力発生との関連(11.分子モーター,一般演題,日本生物物理学会第40回年会)
- 1P104ミオシン1分子のMgATPによる構造変化とサブ構造の周期性
- 1H1530 原子間力顕微鏡で捕らえたミオシン1分子の構造
- 28p-Z-2 GaAs(110)表面のレーザー誘起原子放出におけるハロゲン原子吸着効果
- 4a-U-2 表面構造層からの菊池パターン
- 3a-U-6 Si(111)7×7構造とRHEED強度
- 28a-P-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果
- 3p-M-11 極低温電子回折 V
- 2p GK-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学効果
- 5a-BK-4 Si(III)清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果(III)
- 5a-BK-1 極低温電子回折(V)
- 1a-BF-7 極低温電子回析
- 1a-BF-6 Si(111)清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果 (II)
- 9a-Z-11 S(111)清浄表面の高速電子回折における動力学的効果
- 9a-Z-1 極低温電子回折
- 27p-PSA-22 NaCl清浄表面の電子励起原子放出(その2) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PS-29 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 9a-N-8 結晶の暑さに依存する菊池線コントラストの反射
- 6a-B5-11 弾性-非弾性および非弾性 : 弾性散乱過程による等傾角干渉縞の電顕像コントラスト
- 12p-G-4 アクチンの結晶の高分解能電子顕微鏡像の解析
- 5p-NC-7 超高圧電子顕微鏡による骨格筋アクチンの結晶構造解析
- 14p-H-9 非弾性散乱波のエネルギー分布
- 酸化物資芯入り陰極を用いた電子銃 : X. 電子線・X線
- 3a-P-10 菊池バンドの出来方と実験条件
- 3a-E-4 菊池バンドコントラストの反転
- Actinの構造変化とATPの相互作用(生体物理)
- 6a-H-6 actinの物理化学
- 27p-C-13 レーザー照射によるGaP表面構造変化
- 1a-AC-5 蛋白質集合体のリン光[II] : TMVの異種株の比較
- 1a-AC-4 蛋白質および蛋白質集合体の室温におけるリン光特性 I
- 2p-RJ-8 Au(111)表面へのCu^イオンの電気化学的単原子層吸着過程
- 3a KE-2 筋肉蛋白質の活性制御部位における三重項状態
- 29p-A-7 Bragg反射励起下の表面超格子のTED強度 : 非対称ラウエケースへの一般化
- 30a-D-4 マイクロビーム透過電子線回折法による表面構造研究 (I)
- 29a-D-1 RHEEDロッド強度測定法によるSi(111)7×7垂直構造の解析
- 1p-CF-1 偏極電子源I(1p CF X線・粒子線)
- 30p-TH-11 GaAs型スピン偏極電子源の試作(II)(30pTH X線・粒子線)
- 1a-G-7 卵白リゾチームの超高圧電子線回折(1aG 生体物理,生体物理)