熱フィラメント・気相成長によるダイヤモンドの低温高密度核生成
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概要
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More than 10^8cm^<-2> high density nucleation of diamond was realized in hot filament chemical vapour deposition on tungsten substrate surfaces at the temperature lower than 450℃. The diamond films which have smooth surfaces and good cristallinity grew after this nucleation at the optimum temperature about 800℃ for the bulk diamond growth.
- 大同工業大学の論文
著者
-
佐橋 稔雄
情報学部 情報学科
-
中井 靖男
大同工業大学電気工学科
-
中井 靖男
大同工大
-
早川 謙二
大同工大
-
早川 謙二
大同工業大学応用電子工学科
-
佐橋 稔雄
Department Electorical Engineering, DAIDO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
-
佐橋 稔雄
大同工大
-
佐橋 稔雄
Department Electorical Engineering Daido Institute Of Technology
-
中井 靖男
大同工業大学
-
早川 謙二
大同工業大学
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