3a-F4-10 TEDによるBragg反射を利用した構造解析 : Si(111)√3×√3Agへの適用(表面・界面)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 26p-P-4 TEDによるBragg反射励起を利用した表面構造解析 : Si(111)√×√- Agへの適用
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 28p-Z-2 GaAs(110)表面のレーザー誘起原子放出におけるハロゲン原子吸着効果
- 4a-U-2 表面構造層からの菊池パターン
- 3a-U-6 Si(111)7×7構造とRHEED強度
- 28a-P-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果
- 2p GK-6 Si(111)7×7清浄表面の高速反射電子回折における動力学効果
- 1a-BF-6 Si(111)清浄表面の高速反射電子回折における動力学的効果 (II)
- 3a-P-10 菊池バンドの出来方と実験条件
- 27p-C-13 レーザー照射によるGaP表面構造変化
- 29p-A-7 Bragg反射励起下の表面超格子のTED強度 : 非対称ラウエケースへの一般化
- 4p-NR-4 Si(111)7×7構造とRHEED強度(III)
- 1a-N-9 Si(111)7×7構造とRHEED強度(II)
- 3p-U-2 RHEEDの強度
- 11p-J-8 入射点近傍の菊池バンドの実験的解析
- 6a-KE-6 菊地バンド・コントラストからの異常吸収係数の測定
- 30p-H-1 マイクロビーム透過電子線回折法による表面構造解析(II)(表面・界面)
- 3a-F4-10 TEDによるBragg反射を利用した構造解析 : Si(111)√3×√3Agへの適用(表面・界面)
- 30p-H-2 UHV-TEDによる表面吸着位置の決定法(表面・界面)
- タイトル無し