シリカゲル薄層への溶媒蒸気吸着および溶媒しみ込み : 薄層クロマトグラフィーにおける溶媒蒸気の影響(第1報)
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概要
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2成分溶媒系薄層クロマトグラフィー(TLC)において,シリカゲル薄層1gあたりに前吸着される各成分蒸気量(V)および展開中の薄層1gあたりに含まれる各成分溶媒量(S)をガスクロマトグラフを用いて定量し,次の値を得た.<BR>ベンゼン-シクロヘキサン系(8:2,容積比) ベンゼン V=0.32g S=0.89g<BR>シクロヘキサンV=0.07g S=0.21g<BR>シクロヘキサン-アセトン系(7:3,容積比) シクロヘキサンV=0.18g S=0.57g<BR>アセトンV=0.15g S=0.23g<BR>これらの値とTLCの実験結果から,無極性-無極性溶媒系では前吸着溶媒蒸気の影響は少ないが,極性-無極性溶媒系では相当量の極性溶媒蒸気が前吸着され,この蒸気が実質的に<I>R</I><I><SUB>f</SUB></I>値を左右しTLC分離に大きい影響を与えることがわかった.
- 社団法人 日本分析化学会の論文
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