低圧環境下におけるダイヤモンド核形成初期過程の制御
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概要
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Effects of various substrate pretreatments such as exposure to a H2 plasma, heating in H2 gas, and carburization in a H2/CH4 plasma on diamond nucleation were investigated at pressures of the order of mTorr. For substrate pretreatments using a plasma, positive substrate biasing resulted in higher nucleation densities than negative substrate biasing. This suggests that low-energy ion bombardment is favored prior to diamond nucleation. Also, the heating in H2 gas greatly increased the nucleation density, probably due to an increase in surface roughness. The highest nucleation density (approximately 1×108㎝-2) was obtained when the substrate was heated at around 1000℃ in H2 gas
- 九州大学大学院総合理工学府,Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Universityの論文
著者
-
内野 喜一郎
九州大学大学院総合理工学研究院
-
堤井 君元
九州大学
-
Uo Koji
Plasma Physics Laboratory Kyoto University
-
内野 喜一郎
Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University
-
Uchino K
Kyushu Univ. Fukuoka
-
Uchino Kiichiro
Department Of Applied Science For Electronics And Materials Interdisciplinary Graduate School Of Eng
-
Uchino Kiichiro
Department Of Energy Conversion Kyushu University
-
Uchino K
Kyushu Univ.
-
高妻 豊
九州大学
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