低圧高密度プラズマを用いたダイヤモンド薄膜形成の低圧限界
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-01-26
著者
関連論文
- ナノカーボン構造体のプラズマ合成と電界放出特性
- 異方性ナノカーボン膜のプラズマCVD法による合成と電界放出特性評価
- 異方性ナノカーボン膜のプラズマCVD法による合成と電気特性評価
- プラズマCVD法によるナノダイヤモンド成膜の初期過程における水素の役割
- ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性
- プラズマCVD法により形成される窒素ドープナノダイヤモンド薄膜の構造と電気特性に及ぼす成膜温度の影響
- ECRプラズマ中における直流バイアス基板への軸方向電位分布測定とナノダイヤモンド薄膜形成
- マイクロ波プラズマCVD法によるナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の合成と相制御
- 低圧環境下におけるダイヤモンド核形成初期過程の制御
- 低圧プラズマイオン蒸着によるダイヤモンド形成のメカニズム
- 第5回APSPT開催報告
- フッ素含有プラズマを用いた極低イオンエネルギー照射下におけるcBN薄膜形成
- 低圧高密度プラズマを用いたダイヤモンド薄膜形成の低圧限界
- n型ナノダイヤモンド膜の形成とダイオードへの応用
- 立方晶窒化ホウ素膜のプラズマ合成と電界放出特性
- 立方晶窒化ホウ素膜のプラズマ合成と電界放出特性