超伝導ギャップ内準粒子の超伝導共振器の特性に及ぼす効果(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)
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概要
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超伝導ギャップ内状態を占有する準粒子の存在を仮定した理論を提案し、超伝導体の表面抵抗の過剰成分や超伝導共振器のQ値のの解析を行った。ギャップ内の準粒子状態密度はギャップエネルギを複素数とすることにより記述でき、これを用いてMattis-Bardeen方程式を複素積分化することにより表面抵抗を求めた。こうして求めたNbN超伝導薄膜の表面抵抗やNb空洞共振器のQ値は実験値を良く説明できることが明らかになった。また、Al薄膜共振器中の残留準粒子数は、トンネル接合のI-V特性のフィッティングから求めた準粒子状態密度を用いて求めた準粒子数と定量的に一致することが明らかになった。
- 2014-01-16
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