サブミクロンSIS接合の作成
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概要
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サブミリ波帯SISミクサに利用可能な高電流密度をもつサブマイクロンSIS接合を作成するプロセスを検討した。従来のセルフアラインによる層間絶縁膜の埋め込みに先だって、接合周辺に陽極酸化によって厚い酸化膜を形成することにより、サブギャップ電流が非常に小さく、ギャップ電圧での電流の立ち上がりが非常にシャープな電流-電圧特性を有するSIS接合を再現良く作成できるようになった。陽極酸化を導入した新しいプロセスで作成したSIS接合では接合サイズの微小化にともなう特性の劣化がほとんどみられず、10kA, cm^2を越える電流密度をもつサブミクロンのサイズの高品質SIS接合を作成できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
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