SIS接合の電流-電圧特性におけるサブギャップ電流の起源(アナログ応用,一般)
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概要
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SIS接合のサブギャップリーク電流は,温度の低下と共に指数関数的に減少する.しかし,ある温度以下になると,リーク電流の減少が飽和してしまう.この飽和現象は,超高感度なSISフォトン検出器を開発する上で,大きな障害となっている.サブギャップリーク電流の起源を調べるために,国立天文台/先端技術センターで作成されたNb/Al-AIN/Nb接合のI-V特性を様々な温度下において測定した.こうして得られたI-V特性に対して,(1)準粒子lifetime broadening効果および,(2)準粒子lifetime broadening効果を考慮したsingle-particle+two-particle tunneling過程の2つのモデルを適用し,その再現性を評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-22
著者
-
松尾 宏
自然科学研究機構国立天文台
-
野口 卓
国立天文台先端技術センター
-
野口 卓
自然科学研究機構 国立天文台
-
野口 卓
国立天文台
-
鈴木 仁研
自然科学研究機構 国立天文台
-
遠藤 光
自然科学研究機構国立天文台先端技術センター
-
遠藤 光
自然科学研究機構 国立天文台
-
松尾 宏
自然科学研究機構・国立天文台
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