フッ素化自己組織化単分子膜と正孔輸送層の界面における遷移領域形成(有機材料,作製・評価技術,一般)
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概要
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我々はこれまでにフッ素化自己組織化単分子膜(FSAM)の導入により、素子の低電圧駆動や素子寿命の改善を報告してきた。これらのメカニズム検討において、FSAM上にジアミン誘導体を成膜した時に素子の静電容量が上昇することがわかった。ジアミン誘導体の膜厚依存性、紫外線光電子分光分析によってFSAM近傍の部分的なジアミン誘導体の誘電率が上昇することが示唆された。さらに、インピーダンス測定により高誘電率を有したジアミン誘導体の存在と通常の誘電率を有したジアミン誘導体の二領域の存在を明らかにした。
- 2012-05-17
著者
-
佐藤 敏一
(株)豊田中央研究所
-
森 竜雄
名古屋大学
-
森本 拓也
名古屋大学大学院工学研究科
-
位田 友哉
名古屋大学大学院工学研究科
-
西川 尚男
岩手大学地域連携推進センター
-
森 竜雄
名古屋大学大学院工学研究科:愛知工業大学工学部電気学科
-
森 竜雄
名古屋大学大学院工学部
-
佐藤 敏一
(株)豊田中央研究所パワーエレクトロニクス研究部
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