LSIチップ上に集積化した磁性薄膜電磁ノイズ抑制体のインドラデカップリング効果(EMC,一般)
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概要
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本研究では,薄膜電磁ノイズ抑制体の誘導性結合を評価するため,IEC規格で定められたノイズ抑制シートの評価方法に基づいた測定法を提案し,実測を通してその有用性を示した.2つの微小コイルが配置されたTEGチップを,90nm CMOSプロセスを用いて作製し,コイル間の差動伝送測定を行うことで,誘導結合を評価した.その結果,ICチップ内におけるイントラカップリングを抑制する手法として,磁性薄膜が有用であることを示した.更に,本研究においては,ノイズ抑制効果の主要因は強磁性共鳴損失であり,その抑制効果が極大となる周波数は,磁性膜固有の共鳴周波数と反磁界より求められることを示した.これらの結果より,提案した測定法は,ICチップレベルにおけるノイズ抑制帯GHz帯のノイズ抑制体を評価するため,有用であることを示した.
- 2012-04-13
著者
-
山口 正洋
東北大学
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科
-
室賀 翔
東北大学
-
山口 正洋
東北大学大学院
-
遠藤 恭
東北大学大学院工学研究科
-
室賀 翔
東北大学大学院工学研究科
-
小舘 航
東北大学大学院工学研究科
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