イオンアシスト蒸着によるフッ素薄膜の密着性改善(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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ドライプロセスによる新たなフッ素系高分子膜形成技術として,イオンアシスト蒸着重合法を開発した,イオン照射によって基材表面をクリーニングすると同時にその表面を平滑化,活性化することにより膜/基板界面を改質し,密着性に優れた均質なフッ素系高分子膜を形成できる可能性が示された,スピンコート法による塗布型フッ素系高分子膜と比較した結果,イオンアシストを用いることで密着性の優れた薄膜が得られることを実証した.またイオン照射条件を制御することにより膜物性が変化し,低照射エネルギーで製膜することでフッ素系高分子固有の性質を持つ低表面エネルギーかつ低屈折率の薄膜が得られた.得られた膜は屈折率が低い特性を活かし,反射防止膜として応用可能である.
- 2011-06-23
著者
-
臼井 博明
東京農工大学
-
田中 邦明
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
田中 邦明
東京農工大学
-
松田 剛
東京農工大学大学院工学府
-
臼井 博明
東京農工大有機材料化学科
-
泉田 和夫
東京農工大学
-
泉田 和夫
東京農工大学大学院工学研究院:住友精密工業(株)
-
松田 剛
東京農工大学大学院
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