イオン化蒸着による有機薄膜構造制御とEL素子への応用
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概要
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Tangらの有機EL素子の成功はヘテロ接合の形成によるものであるが、技術的な要因として蒸着法により薄くかつ均質な薄膜を形成できた点があげられ、薄膜形成伎術の重要性を示唆している。いくつかの無機材料の薄膜形成ではイオンを援用した蒸着技術が必要不可欠となっているが、有機材料ではこのような手法の適用は例が少ない。そこでイオン化蒸着法を有機薄膜形成に応用し、膜構造の制御とEL素子への応用について検討した。イオン化蒸着法の概念を図1に示す。蒸発源の上部に熱電子放出型イオン化部を設けると共に、基板にイオン加速電圧を印加して薄膜を形成する。イオン化率は通常1%以下であり、イオン加速電圧としては数百Vを用いる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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