平面応力を負荷した半導体シリコン単結晶中の点欠陥の安定性に関する第一原理解析

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概要

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• The effect of compressive or tensile plane-stress on formation energies and electronic properties of point defects in Si crystal was studied by first principles approach for in-plane strain up to 5.0%. It was found that the formation energy of interstitial Si (I) decreased under tensile in-plane strain. On the other hand, the formation energy of vacancy (V) decreased under compressive in-plane strain. The most stable states of I and V in intrinsic Si were I^<2+> at T site and V^0 respectively, independent of type and value of the in-plane strain.

• 社団法人日本機械学会の論文
• 2007-08-25

著者

• 福谷 征史郎

  岡山県立大学情報工学部

• 芝 世弐

  岡山県立大学

• 芝 世弐

  岡山県立大学 情報工学部

• 末岡 浩治

  岡山県立大学 情報工学部

• 王 艶波

  岡山県立大学大学院情報系工学研究科

• 芝 世弐

  岡山県立大

• 末岡 浩治

  岡山県立大学情報工学部

• 末岡 浩治

  岡山県立大

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