1802 シリコン単結晶中の金属拡散とゲッタリングに関する第一原理計算(OS18. シリコンとシミュレーション,オーガナイズドセッション講演)
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概要
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半導体デバイスの微細化に伴い,基板として用いられるSi単結晶ウェーハの高品位化が重要な課題となっている.デバイス性能を向上させる材料技術として,汚染重金属をSiウェーハ内部で捕獲する「ゲッタリング」がある.本研究では,新規金属材料として用いられる3d遷移金属について,Si結晶中の有効なゲッタリングセンターを第一原理計算により探索した.さらに,次世代基板として期待されるSi(110)/(100)複合結晶面基板について,界面構造と界面におけるゲッタリングに関する理論計算も行ったので報告する.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2010-09-23
著者
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