チョクラルスキー法による単結晶Si引上炉における液面位置オンライン測定技術の開発(機械力学,計測,自動制御)

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概要

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• We have developed a new instrumentation technique for Si crystal growth process of Czochralski (CZ) method for the purpose of the purpose of the quality improvement. In this paper, we developed the online measurement technique for the melt surface level of Si crystal in growth furnace. Our new technique can measure the melt surface level with high accuracy without the influence of meniscus. The characteristics of this technique are the elimination method of the influence of meniscus. The elimination error of meniscus influence is within +/-0.3mm. This technique contributes to the improvement of CZ Si crystal quality.

• 一般社団法人日本機械学会の論文
• 2007-11-25

著者

• 福谷 征史郎

  岡山県立大学情報工学部

• 末岡 浩治

  岡山県立大学 情報工学部

• 高梨 啓一

  岡山県立大学大学院情報系工学研究科

• 高梨 啓一

  岡山県立大学大学院情報系工学研究科:(株)sumco技術開発部プロセス基盤技術課

• 末岡 浩治

  岡山県立大学情報工学部

• 末岡 浩治

  岡山県立大

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