First-Principles Calculation on Interaction of Dopant-Point Defect Complex and Metal Atom in Si Crystal
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概要
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The formations of dopant (B, As) - self-interstitial Si atom (I</I>) complexes BI, AsI and dopant (B, As) -vacancy (V) complexes BV, AsV in Si crystals were analysed by first-principles calculation. To evaluate the gettering efficiency of dopant-point defect complexes for impurity metal atoms M, the interactions of M (Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, W, Mo, W, Hf, Ta) with BI, AsI, BV, AsV complexes were investigated by the total energies of geometry optimized cells. Following results were obtained. (1) BI, BV, AsI and AsV form the stable complexes with metal atoms M, (2) BI complex is more stable than BV, while AsV complex is more stable than AsI, and (3) BI and AsV complexes become more effective gettering sites than the isolated dopant (B, As) atom.
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