CdSe薄膜トランジスタの特性に及ぼす製作諸条件I
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概要
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CdS film has been generally used for the semiconductor layer of the TFT since P.K. Weimer's invention of the TFT. But, CdSe film appears more suitable to the semiconductor layer of the TFT than CdS film from the standpoint of film fabrication and electron mobility study. This paper describes dependence of the I-V characteristics of CdSe TFT on deposition conditions of CdSe film and shows that there are some optimum deposition conditions to give high Gm and good saturation to TFT characteristics.
- 山形大学の論文
- 1967-01-20
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