不均一膜厚をもつ薄い酸化アルミニウム薄膜を通じて流れるトンネル電流
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概要
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Abstract A relationship between theoretical and experimental tunnel currents in Al-Al_2O_3-Al diodes with an extrmely thin Al_2O_3 film is discussed. It is assumed that the Al_2O_3 film has nonuniform thickness and is composed of a discrete growth of the oxide thickness with 5 Å unit and that the nonuniformity of its thickness can be expressed by a probability distribution function with respect to the thickness. To reduce the quantitative discrepancy between both theoretical and experimental currents on the voltage-current characteristics of these diodes, numerical calculations of the tunnel current are carried out. Then, it is found that the nonuniformity can be estimated by both a minimum thickness with an oxide film and a thickness determined by the capacitance measurements, and that theoretical tunnel currents of the diodes with nonuniform oxide thickness agree with the experimental currents over an extent of several figures. 要旨 非常に薄いAl_2O_3膜を有するAl-Al_2O_3-Alダイオードの理論的ならびに実験的トンネル電流の相関関係について検討を加えた。Al_2O_3薄膜が一様な厚さをもたず，その厚さが5Å単位の不連続成長層からなること，また，その不均一性が厚さに関する一つの確率函数によって表わされることを仮定した。ダイオードの電圧－電流特性上におい，トンネル電流の理論値と実験値に生ずる差異を説明するため，トンネル電流に関する数値計算を行なった。 その結果，この不均一性は酸化膜厚のもつ最小膜厚と，容量測定で定まる膜厚とで評価出来ること，また，不均一酸化膜膜厚をもつダイオードの理諭的トンネル電流が数桁にわたって実験値と一致することが判った。
- 山形大学の論文
- 1970-03-25
著者
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