二重絶縁構造を有する薄膜電界発光素子[I]
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概要
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A high-brightness green-light-emitting electroluminescent (EL) device has been developed. The device has an In_2O_3-Y_2O_3-ZnS:TbF_3-Y_2O_3-Al structure. The typical brightness emitted by the device is 1,000 ft-L at the excitation frequency of 5KHz. These values are higher than those ever reported of green-light-emitting thin-film EL devices. The device performance and experimental results are presented.
- 明治大学の論文
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