Y_2O_3:Euを発光層に用いた二重絶縁薄膜EL素子
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概要
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The thin-film electroluminescent (EL) device with an ITO-Y_2O_3-ZnS-Y_2O_3:Eu-ZnS-Y_2O_3-Al structure was fabricated in order to obtain a red electroluminescence by making use of Y_2O_3:Eu. The emission having a strong peak value of 611 nm was observed, which is due to the ^5D_0-^7F_2 transition of Eu^<3+>. The results support multi-coloring of thin-film EL devices with CRT's phosphor materials as the active layer. In this report, the process of EL device and the main optical properties were described.
- 明治大学の論文
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