ZnS:TbF_3薄膜電界発光素子における発光過渡特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Time-resolved emission spectra of the doubly insulated thin-film electroluminescent device having electron-beam evaporated ZnS:TbF_3 as the active layer were measured under alternating polarity pulsewave with 5μs pulse width at 50Hz. From time response for Tb^<3+> emission (^5D_4-^7F) and ZnS host lattice emission, excitation mechanisms of emission center in electroluminescence were discussed.
- 明治大学の論文
著者
関連論文
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 反応性スパッタリングによるPd添加WO_3薄膜のエレクトロクロミズム特性
- 白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係
- WO_3-Bi_2O_3混合薄膜の作製と評価
- 厚膜誘電体を用いたBaAl_2S_4:Eu青色EL素子の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化
- GdF_3を添加した青色蛍光体BaAl_2S_4:Euの特性変化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性
- 電子ビーム蒸着BaAl_2S_4:Eu薄膜の光学的特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製
- スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製
- ZnS:TbF_3薄膜電界発光素子における発光過渡特性
- Y_2O_3:Euを発光層に用いた二重絶縁薄膜EL素子
- ZnS:ErF_3,YbF_3を発光層にもつ二重絶縁薄膜EL素子の発光波形
- 薄膜電界発光素子の多色化
- 二重絶縁構造を有する薄膜電界発光素子-1-
- 二重絶縁構造を有する薄膜電界発光素子-2-
- 二重絶縁構造を有する薄膜電界発光素子[II]
- 二重絶縁構造を有する薄膜電界発光素子[I]
- Y_2O_3螢光体薄膜の電界発光
- Y_2O_3:Eu螢光体の発光スペクトルにおけるBi^イオンの影響
- Eu^付活Y_2O_3,Y_2O_2S螢光体の発光スペクトルにおける濃度依存性の解釈
- 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl_2S_4:Eu EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- ZnS:Cu,Al蛍光体の熱発光
- スパッタリング法によるSi添加AIN:Eu薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- レーザーに関する基礎的及び応用的研究(科学技術研究所年報第9号)
- 12p-N-12 ZnS:Cu,Al蛍光体の熱発光(III)赤色熱発光スペクトル
- ZnS:Cu系蛍光体のESR(II) : 光物性・イオン結晶
- Chalcopyrite 型蛍光体薄膜の発光特性
- Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 三元硫化物蛍光体の発光制御と薄膜エレクトロルミネッセンス素子への応用
- 高周波スパッタリング法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4 : Eu薄膜の作製
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアブレーション法によるBaMgAl_O_ : Eu薄膜の作製
- Eu3+付活Y2O3,Y2O2S螢光体の発光スペクトルにおける濃度依存性の解釈
- レーザアニール法を用いた薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Tm^イオンを添加した種々のEL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法によるCaAl_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa_2S_4:Ce薄膜EL素子
- 多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Eu^添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製
- EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製
- A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性
- 青色発光BaAI_2S_4 : Eu EL素子の高効率化(ディスプレイ-Asia Display / IDW'01 関連-)
- 青色発光BaAl_2S_4:Eu薄膜の熱処理過程評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光BaAl_2S_4 : Eu薄膜の熱処理過程評価
- BaAl_2S_4:Eu EL素子の電気的特性
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- 2価Euイオンを添加したBaAl_2S_4青色発光薄膜EL素子
- レーザアブレーション法によるBaAl_2S_4:Eu薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 母体にフッ化物を用いた薄膜EL素子 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 励起用N_2レーザの製作