真空紫外希ガスエキシマランプを用いた光CVD
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概要
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半導体デバイスの高密度化に伴い、低温で低損傷なてIVD法(Chemica]VaporDepo8itiOn:気相化学蒸着法)の研究が盛んであるが、中でも新光源である真空紫外希ガスエキシマランプを用いた方法は装置がシンプルでしかもウエハースケールでのプロセスも可能であるため最近非常に注目されている。このような背景をもとに我々はエキシマランプを用いて半導体デバイスの眉間絶縁膜などに使われているシリカ膜を金属アルコキシドであるTEOS(tetraethoxyoれhosilicate)原材料として生成する研究を進めている。今回特に、混合ガスや異なる波長(126rlrn〜308nm)の光源を用いて膜質の改善を試みた結果について報告する。
- 1999-10-20
著者
-
五十嵐 龍志
ギガフォトン(株)
-
横谷 篤至
宮崎大
-
五十嵐 龍志
ウシオ電気
-
五十嵐 龍志
ウシオ電機株式会社技術研究所
-
河崎 泰宏
分子科学研究所
-
松野 博光
ウシオ電機
-
宮野 淳一
宮崎マシンデザイン
-
竹添 法隆
分子研
-
河崎 泰宏
宮崎大
-
黒澤 宏
分子研
-
五十嵐 龍志
ウジオ電気
-
松野 博光
ウジオ電気
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