VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性(レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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次世代の半導体製造用CVDとして,真空紫外光気相成長法(VUV-CVD:Vacuum-Ultraviolet Chemical Vapor Deposition)の研究・開発が各国で進められている.膜の原料を紫外線の短波長である真空紫外光によって,光量子的に分解するため,室温で生成が可能である.VUV-CVDは,原理的に光子エネルギー以上の運動エネルギーをもった荷電粒子及び中性粒子が存在せず,半導体製造プロセスの高熱や不純物打込み及び電気的チャージ等のプロセスダメージを嫌う工程において,ダメージフリーのCVD装置として有望である.筆者らは, Xe_2エキシマランプを搭載したVUV-CVDを用い,層間絶縁膜生成に多用されるTEOS:[Si(OC_2H_5)_4]と環状のSi-O骨格を有するOMCTS:[((CH_3)_2SiO)_4]を用いて,シリカ膜を生成した.これらの膜について,電気特性であるリーク電流特性及び比誘電率を評価した結果,後者の環状のSi-O骨格を有するOMCTSが,VUV-CVDのシリカ膜原料として有効であることがわかった.本論文は,VUV-CVDで生成した,これらシリカ膜の電気特性について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-01
著者
-
横谷 篤至
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
黒澤 宏
宮崎大学
-
黒澤 宏
宮崎大学地域共同研究センター
-
横谷 篤至
宮崎大学
-
本山 理一
宮崎大学
-
黒澤 宏
分子研
-
本山 理一
宮崎大学:宮崎沖電気株式会社ファンダリ部
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