PLD法による炭素粒子のSi(111)7×7表面上への吸着の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-09-01
著者
関連論文
- 高機能性光源を用いた新しい産業技術への応用
- PLD法による炭素粒子のSi(111)7×7表面上への吸着の観察
- PLD法による多結晶ハイドロキシアパタイト被膜の室温成長
- 真空紫外線によるプラスチックの表面改質技術 (特集 コーティングで打ち勝つ(1)テクノロジー・ハード編)
- Laser Original 全固体近紫外レーザーよるファイバブラッググレーティング作製技術の開発 (「屋外で活躍するレーザー」特集号)
- レーザー生成プラズマ極端紫外光源を用いた光脱離質量分析装置の開発
- 真空紫外光源の開発とその応用
- 流体潤滑にあるしゅう動表面のぬれ性による摩擦への影響
- フェムト秒レーザを用いた薄厚シリコンウエハのダイシング加工 : レーザパルス幅が抗折強度と切断品質に及ぼす影響
- フェムト秒レーザーを用いた半導体関連材料の加工と特性の評価
- 時間波形制御したフェムト秒レーザによる極薄半導体基板のダイシング技術の開発
- フェムト秒レーザを用いた極薄半導体基板の加工技術の開発
- フェムト秒レーザアブレーションにおけるレーザ発振条件の加工特性に及ぼす影響
- フェムト秒レーザーを用いた自己組織的表面構造の形成
- ダブルパルスを用いたフェムト秒レーザーによるSiの加工
- フェムト秒レーザアブレーションにおけるレーザ発振条件の及ぼす影響
- フェムト秒レーザによるSiの穴あけ加工
- PLD法によるハイドロキシアパタイト被膜の形成
- 真空紫外光を用いたアクリル樹脂の反射防止コーティング技術の開発
- 真空紫外光によるプラスチックの表面改質
- 真空紫外光による光励起表面脱離プロセスと表面分析への応用
- 石英ガラス第2高調波発生
- エキシマレーザーによる電界分極石英ガラス中のSHG相の消去プロセス
- 電界分極Ge-doped石英ガラスの2次の非線形光学性
- レーザーを用いたFBGセンサー製作技術の開発
- フェムト秒レーザーを用いた半導体関連材料の加工と特性の評価
- フェムト秒ファイバーレーザーを用いたTHG顕微鏡の製作
- フェムト秒レーザによる微細周期構造の形成
- 放電励起希ガスエキシマレーザーに関する研究
- 誘電体バリア放電Xeエキシマランプを用いたポリマーのフォトエッチング
- 真空紫外光エキシマランプを用いたポリマーのフォトエッチング
- ファイバグレーティングセンサ反射特性のシミュレーションによる解析
- 紫外レーザーを用いたファイバーグレーティングセンサーの作製と特性評価
- PLD法によるフッ化ランタン薄膜の作製
- フェムト秒レーザーを用いた半導体基盤の加工技術の開発
- 紫外・真空紫外光源の開発と光プロセスへの応用
- 高機能性光源によるマテリアルプロセッシング
- 高輝度真空紫外コヒーレント光源の開発
- 高強度真空紫外アルゴンエキシマレーザーの開発
- 高機能性光源を用いたマテリアルプロセッシングの研究
- 真空紫外光で拓く環境調和型プロセス--真空紫外光領域における光源の開発とその応用技術の開発 (特集 次世代化学技術の展望)
- 紫外光レーザーを用いた光ファイバーセンサー作製技術の開発
- 誘電体バリア放電エキシマランプによる酸化ゲルマニウム薄膜の作製
- フェムト秒レーザ照射によるシリコンウェーハの周期的パターニングと異方性エッチングによる微細構造形成
- 半導体集積回路分野
- MgIn_2O_4のArFエキシマレーザーアブレーション粒子のイオンサイクロトロン共鳴精度質量分析
- 超軟X線発光分析のレーザープロセシングへの応用
- 真空紫外レーザー照射改質表面の軟X線発光分析
- Dynamic Estimation of Surface Tension of Si by a Hanging Drop
- エキシマランプを用いたフォトエッチングの基礎特性
- 高エネルギー及び高輝度光源を用いたマテリアルプロセッシングの研究
- 熱ポーリングによる中空石英ガラス管の第2高調波の高効率発生
- 石英ガラスを用いた波長変換デバイス
- 等方性石英ガラスにおける二次非線形光学性
- 表面プラズモン共鳴を用いた薄膜モニター
- STM による薄膜の形成初期過程の観察
- FBG走査型狭帯域フィルタを使用したFBGセンサ用測定器の開発
- 物質表面における光化学反応の原子レベルでの観察と制御
- 真空紫外光を用いた半導体プロセス低温化技術
- VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 真空紫外エキシマランプによる銅薄膜の室温合成に関する研究
- エキシマレーザーを用いた透明導電性酸化物薄膜の作成
- エキシマレーザーアブレーションによる透明導電性酸化物膜の作成
- フォトン走査型トンネル顕微鏡に関する研究
- 真空紫外エキシマランプCVDによる薄膜作成
- 真空紫外エキシマランプによる光洗浄技術の開発(II)
- フェムト秒レーザーによる材料加工に関する研究 : 高時間分解能イメージングなどによる加工過程の計測
- 真空紫外光源の開発とその応用
- 真空紫外光CVD法によるSiNx薄膜の低温作製
- 全固体近紫外レーザーよるファイバブラッググレーティング作製技術の開発
- VUV-CVDを用いたSiO_2膜生成における生成レート制限因子
- 真空紫外光CVDによる酸化膜形成評価
- 極端紫外光源を用いた光脱離質量分析装置の開発
- PLD法における薄膜成長初期過程の観察
- エキシマレーザーアブレーションによるβ-SiC薄膜の作製
- 光応用工学研究室
- 真空紫外光CVD法による有機シロキサンを用いた酸化膜形成評価
- フェムト秒領域のパルスレーザーによる材料加工技術の開発
- 真空紫外希ガスエキシマランプを利用した薄膜形成
- 「食品分野への光応用」特集号によせて
- 水中レーザーアブレーション法による生体親和性ナノ粒子の創成
- 飛行時間型質量分析法による表面微量分析技術の開発
- PLD法による薄膜形成の初期過程の観察
- レーザーを用いたFBGセンサー製作技術の開発
- Atomic scale observation of the initial stage of thin film formation by PLD method
- 多機能真空紫外希ガスエキシマ光源
- 添加ガスによる真空紫外光CVD-SiO_2膜の品質向上
- 新非線形光学結晶の育成と評価
- PLD法による結晶性チタン酸バリウム薄膜の作製
- エキシマレーザーアブレーションによる非線形光学薄膜の作製
- フェムト秒レーザーアブレーションによるサファイア薄膜の作製
- エキシマレーザーアブレーションを利用したβ-SiC薄膜の作製
- エキシマレーザーアブレーションを利用したTi:Al_2O_3薄膜の作製
- パルスレーザーデポジション法による光機能性薄膜作製の研究
- 高機能性センサー素子の作製を目指したFBG作製技術の開発
- 走査型トンネル顕微鏡の製作と性能
- 短パルスレーザーを用いた表面加工技術の開発
- Mo-Siミラーの光洗浄と光脱離分析評価
- レーザー生成プラズマ極端紫外光源の開発と表面分析への応用
- 高輝度真空紫外光源の開発と極端紫外光極微細分析技術への展開