磁気光学プローブによるテストLSIパッケージ周辺ピン上の1D磁界分布測定
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概要
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プリント基板における不要電磁放射源、および放射メカニズムを調べるため、外部から動作モードが制御可能なLSIを実装したプリント基板を試作し、磁気光学プローブを用いてLSIパッケージ周辺ピン上の一次元(1D)磁界分布測定を行った。用いた磁気光学プローブは、光ファイバの先端に磁気光学結晶を接着させた構造のもので、100μm程度の空間分解能を有する。測定の結果、幅200μmを有し、500μmの間隔で配列されているパッケージ周辺の各ピンから発生する磁界を識別できることが判明した。また、4種類のLSI動作モードを選び、各モードについてクロック信号の基本周波数の10倍に対応する周波数における1D磁界分布測定を行った結果、各モード間でのピーク強度の相対比較結果と3m法により測定した放射電界強度の相対比較結果に相関関係が認められた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-28
著者
-
芳賀 知
技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
中野 健
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)
-
星野 茂樹
(株)日本電気特許技術情報センター
-
星野 茂樹
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)
-
岩波 瑞樹
Necシステム実装研究所
-
山崎 悦史
東京大学電子工学科
-
芳賀 知
超先端電子技術開発機構
-
若菜 伸一
東京大学
-
岸 眞人
東京大学電子工学専攻
-
土屋 昌弘
東京大学電子工学専攻
-
岸 眞人
東京大学大学院工学系研究科
-
岸 真人
東京大学電子工学科
-
岩波 瑞樹
技術研究組合超先端電子技術開発機構
-
須藤 俊夫
技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)
-
若菜 伸一
東京大学電子工学科
-
芳賀 智
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
-
中野 健
技術研究組合超先端電子技術開発機構
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