化合物半導体太陽電池〔1〕(<特集>観測ロケット基礎開発研究特集号)
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概要
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三元の化合物半導体であるIn_<1-x>Ga_xAsを用いて,Graded-band gap 構造太陽電池を作成することにより,理論的計算によれば,29.4%の高効率が得られる.本報告では,基礎的検討として,まず気相エピタキシャル法によるIn_<1-x>Ga_xAs 単結晶作成技術,In_<1-x>Ga_xAsショットキ構造の障壁高さの組成比依存性に検討を加えた.ショットキ障壁高さは,表面に形成される酸化物に影響をうけることが判明した。次に太陽電池として基本的構造を有する素子を作成し,特性を測定した。実際の素子では,理論的計算では考慮していない基板と成長層の界面の特性が問題となり,現在まだ高効率は得られていない。GaAs太陽電池と比較すると,スペクトル特性は改善されている。
- 宇宙航空研究開発機構の論文
著者
-
河東田 隆
東京大学宇宙航空所究所
-
山崎 進
富士通研究所
-
岸 真人
東京大学電子工学科
-
河東田 隆
東京大学工学部
-
河東田 隆
東大 宇航研
-
河東田 隆
東大工
-
山崎 進
東京大学宇宙航空研究所
-
岸 真人
東京大学宇宙航空研究所
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