パラメトリック再生機構に関する実験的考察 (<特集> 磁性薄膜, 一般)
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概要
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信号が再生ヘッドに入り込み再生されるまでの過程(パラメトリック再生機構)をパラメトリック再生理論を元に実験的に考察した. パラメトリック再生時において直流バイアス磁界に対するインダクタンス変化特性をパラメトリック発振電流・電圧波形から計算し, 再生出力電圧及びインダクタンスの直流バイアス磁界依存性と比較した. その結果, 再生出力電圧はインダクタンスの変化分に依存し, バイアス磁界が120A/m以上では再生理論が適用できることが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-13
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