Fe-M-0膜を用いた薄膜インダクタの3次元磁界解析
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概要
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高周波磁気デバイス用磁性材料としては,高い飽和磁化と低損失特性を有する高電気抵抗軟磁性薄膜が望ましい.本稿では,これら磁性膜を用いる薄膜インダクタの設計に資することを目的として3次元磁界解析を行った結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-19
著者
-
佐藤 敏郎
信州大学スピンデバイステクノロジーセンター
-
佐藤 敏郎
信州大学工学部
-
山沢 清人
信州大学工学部
-
佐々木 義人
アルプス電気(株)
-
畑内 隆史
アルプス電気(株)
-
佐々木 義人
アルプス電気
-
畑内 隆史
アルプス電気
-
畑内 隆史
アルプス電気(株)中央研究所
-
駒井 栄一
アルプス電気
-
小川 和志
アルプス電気(株)
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