メモリデータベースのバックアップに適用する半導体ディスク装置の不揮発化方法

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高度インテリジェントネットワークやオンライントランザクション処理システムにおいては,データベース処理の高速化のため,データベースのすべてを主メモリ上に常駐するメモリデータベースが採用されている.このようなシステムにおいて,メモリデータベースのバックアップに用いる半導体ディスク装置の不揮発化方法について提案した.具体的には,直接バッテリで不揮発化する方法と,半導体ディスク装置の内容を不揮発媒体である磁気ディスク装置に移す方法を取り上げ,要求される不揮発化時間,データベース容量に着目し,バッテリ容量,ハードウェア量の評価を通して両方式の適用領域を明らかにした.その結果,データベース容量が512MB∼2GB程度で,要求される不揮発化時間が10時間程度である,高度インテリジェントネットワークの半導体ディスク装置においては,直接バッテリで不揮発化する方法が有効であることを示した.また,バッテリの保守を効率的に行うため,交換の要否を自動的に判定する方法を提案した.最後に,これらの結果をふまえて試作したバッテリの構成と,それを組み込んだ高度インテリジェントネットワーク用サービス制御ノードの構成を示した.
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-09-25

メモリデータベースのバックアップに適用する半導体ディスク装置の不揮発化方法

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