DAM構造による低コストRFMEMS/RFマイクロマシンデバイス(特別ワークショップ「RFマイクロエレクトロニクス」)
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概要
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誘電体薄膜とメタライズされた基板上の微小キャビティで構成される中空構造を用いて低損失線路,集中定数線路およびMEMSスイツチを試作および評価を行い,その有効性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-09
著者
-
西野 有
三菱電機情報技術総合研究所
-
李 相錫
三菱電機先端技術総合研究所
-
李 相錫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機
-
吉田 幸久
三菱電機(株)
-
Lee Sang-Seok
三菱電機(株) 先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機先端技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機情報技術総合研究所
-
高本 直
三菱電機情報技術総合研究所
-
Lee Sang‐seok
三菱電機
-
宮口 賢一
三菱電機 情報技総研
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