活性化反応蒸着法によるZnO薄膜の作製(<小特集>セラミック材料)
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概要
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ZnO filmswere preparedon silica glass substrates by the use of an R. F. activated reactive evaporation (ARE) method, and were examined by X-ray diffraction (XRDRD) and scanning electron micro-graph. XRD indicated that they were c-axis oriented and that an R. F. plasma of Zn and O was necessary for the film deposition. The optimum conditions for a dense film with a fine texture of the surface and having good crystallinity were as follows;R・F・power=150〜200W, the substrate temperature:400℃, the oxygen pressure:2.0×10^<-4> Torr, the evaporation rate:5.0 A/s. The standard devitation σ of the X-ray rokking curve of (002) for the film was 1.9°, Smaller than that of the film prepared by usingan R. F. sputtering method.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 1991-04-15
著者
-
小田 喜一
岡山大学工学部
-
坂東 尚周
京都大学化学研究所
-
尾坂 明義
岡山大学工学部精密応用化学科
-
尾坂 明義
岡山大学工学部
-
高田 潤
岡山大学工学部精密応用化学科
-
小田 喜一
名古屋工技試
-
三浦 嘉也
岡山大学工学部精密応用化学科
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
寺嶋 孝仁
(財)生産研
-
河村 利夫
岡山大学工学部
-
三浦 嘉也
岡山大学工学部
-
高田 潤
岡山大学工学部
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