反応性スパッタリング法で作製したAlN薄膜の結晶性 : 残留水蒸気の影響
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概要
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Effects of water vapor in a sputtering chamber on the AlN film crystallinity deposited by reactive sputtering method have been investigated. A very small water vapor pressure of (2 6)×10^<-4> Pa resulted in a degradation of the AlN crystals. High temperature dehydration before deposition made it possible to synthesize high quality c axis oriented AlN films at low temperature.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-11-01
著者
-
柴田 典義
(財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所
-
野村 研二
名古屋工業大学工学部応用化学科
-
石川 由加里
(財)ファインセラミックスセンター
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野村 研二
(財)ファインセラミックスセンター
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石川 由加里
Japan Fine Ceramics Center
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柴田 典義
Japan Fine Ceramics Center
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