マイクロ波プラズマCVD法による炭化ケイ素薄膜の低温合成

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概要

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• Polycrystalline β Sic films have been deposited on Si (100) at 400℃ by the microwave plasma chemical vapor deposition using CH_3Cl and SiH_4 as source gases. A single crystal film was obtained at 725℃. The deposition rate increased with decreasing substrate temperature, and with increasing gas composition ratio [CH_3Cl]/[SiH_4], which is larger than 1. The crystal had a very few bonded hydrogen, but contained a small amount of residual Cl. Si rich films were obtained at low substrate temperatures and low [CH_3Cl]/[SiH_4] ratios. The obtained results indicate that the film deposition process is a CH_3Cl decomposition limited.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1994-01-01

著者

• 柴田 典義

  (財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所

• 青山 智

  (財)ファインセラミックスセンター:(現)トヨタ自動車(株)東富士研究所

• 柴田 典義

  Japan Fine Ceramics Center

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