マイクロ波プラズマCVD法による金属への炭化ケイ素薄膜の低温コーティング
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概要
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(111) oriented poly-crystalline β SiC films have been deposited on Si(100) below 400℃ by microwave plas ma chemical vapor deposition using CH_3Cl and SiH_4 as source gases. The lowest temperature for the growth conditions of poly crystralline β SiC was 280℃. Well crystalized SiC films have also been deposited on SUS304, Al and Ti6Al4V substrates. The crystallinity was independent on the substrate materials. The films deposited on Ti6Al4V had a high Vickers hardness (H_v) of 3000. The SiC coating improved friction and abra sion characteristics for the metal substrates, and showed exellent acid resistivity.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-11-01
著者
-
柴田 典義
(財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所
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青山 智
(財)ファインセラミックスセンター:(現)トヨタ自動車(株)東富士研究所
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柴田 典義
Japan Fine Ceramics Center
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