XPS-SIMSによるAu/Si_3N_4界面反応の分析
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概要
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Interface reaction between Au film and single-crystal α-FSi_3N_4 was analyzed with depth profile by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) . Diffusion of Si from the Si_3N4 to the Au film surface was observed by SIMS. Clear evidence which indicates low-temperature (600℃ solid reaction between Au and Si_3N_4 was also observed. The interface region exhibited peaks corresponding to Au-Si bond , Si-N bond and dangling nitrogen bond in the XPS spectra. It is considered that the Au-Si bond was formed by dissociating Si-N bond, and the reaction mechanism is similar to Au-Si reaction at Au/Si interface. In the case of Au and amorphous SiN_<x> the interface reaction was more remarkable than that of the single-crystal Si_3N_4.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1996-12-01
著者
-
柴田 典義
(財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所
-
野村 研二
名古屋工業大学工学部応用化学科
-
野村 研二
(財)ファインセラミックスセンター
-
川合 智司
古河電気工業(株)
-
柴田 典義
Japan Fine Ceramics Center
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