A High-Speed CMOS Image Sensor with Global Electronic Shutter Pixels Using Pinned Diodes

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概要

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• This paper describes a high-speed CMOS image sensor with a new type of global electronic shutter pixel. A global electronic shutter is necessary for imaging fast-moving objects without motion blur or distortion. The proposed pixel has two potential wells with pinned diode structure for two-stage charge transfer that enables a global electronic shuttering and reset noise canceling.A prototype high-speed image sensor fabricated in 0.18μm standard CMOS image sensor process consists of the proposed pixel array, 12-bit column-parallel cyclic ADC arrays and 192-channel digital outputs. The sensor achieves a good linearity at low-light intensity, demonstrating the perfect charge transfer between two pinned diodes. The input referred noise of the proposed pixel is measured to be 6.3 e-.

• 2009-10-01

著者

• KAWAHITO Shoji

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• YASUTOMI Keita

  Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University

• TAMURA Toshihiro

  Photron Ltd. Imaging Division Product Development Group Chiyodafujimi BLDG

• FURUTA Masanori

  Toshiba Corporation Mobile Communication Laboratory

• ITOH Shinya

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Itoh Shinya

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 川人 祥二

  静大電研

• Kawahito Shoji

  Res. Inst. Of Electronics Shizuoka Univ.

• Yasutomi Keita

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• Kawahito Shoji

  Research Institute Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• Kawahito Shoji

  Imaging Devices Laboratory Nanovision Research Centre Research Institute Of Electronics Shizuoka Uni

• Furuta Masanori

  Toshiba Corporation

• Tamura Toshihiro

  Photron Ltd

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