17-3 時間分解型CMOSイメージセンサのためのLEF制御型電荷変調画素構造(第17部門情報センシング(1))

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概要

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• This paper presents a new type of charge modulation pixel structure using lateral electric field. It has attractive features for time-resolved CMOS image sensors which are able to transfer charge in high-speed by not through a transfer gate and to modulate different signals simultaneously.

• 2012-08-29

著者

• Kawahito Shoji

  Res. Inst. Of Electronics Shizuoka Univ.

• 川人 祥二

  静岡大学電子工学研究科

• 香川 景一郎

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• 安富 啓太

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• 韓 相萬

  静岡大学大学院

• 韓 相萬

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• 白 グスル

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• Mars Kamel

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• 川人 祥二

  静岡大学工学研究科電気電子工学専攻

• 香川 景一郎

  静岡大学工学研究科

• 川人 祥二

  静岡大学工学研究科

• 安富 啓太

  静岡大学工学研究科

• 安富 啓太

  静岡大学工学部

• 韓 相萬

  静岡大学工学研究科

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