14-11 電荷排出変調を用いたロックインピクセルを持つCMOSイメージセンサの設計と応用(第14部門情報センシング)
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概要
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This paper presents a time-resolved CMOS image sensor with lock-in pixels using draining only modulation. Compared with a two stage charge transfer pixel structure, this structure removes the transfer gate between pinned photo diode and pined storage diode, thus realizes trapping-less charge transfer, leading to low-noise and high sensitivity detection.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2011-08-24
著者
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
伊藤 真也
静岡大学電子工学研究所
-
安富 啓太
静岡大学電子工学研究所
-
香川 景一郎
静岡大学電子工学研究所
-
李 卓
静岡大学電子工学研究所
-
李 卓
静岡大学自然科学系教育部
-
香川 景一郎
静岡大学工学研究科
-
安富 啓太
静岡大学工学部
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