排出制御電荷変調素子DOMによる蛍光寿命CMOSイメージセンサ(ナノフォトニクス・プラズモニクスおよびイメージセンサ一般)
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概要
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排出のみの制御によって電荷変調を行うことが可能な排出制御型電荷変調素子DOMとこれを用いた蛍光寿命イメージセンサについて述べる.信号経路から転送ゲートをなくすことで,バリアレスで界面トラップの影響の受けない構造となり,極微弱光に対してもロスのない繰り返し蓄積が可能である.標準CMOSイメージセンサプロセスで時間分解型イメージセンサを試作して得られた評価結果と,これを用いて構築した蛍光寿命顕微鏡システムによる実細胞の観察実験について報告する.
- 2012-11-14
著者
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
安富 啓太
静岡大学電子工学研究所
-
新岡 宏彦
大阪大学 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
橋本 守
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
橋本 守
大阪大学基礎工学研究科
-
川人 祥二
静大電研
-
Kawahito Shoji
Res. Inst. Of Electronics Shizuoka Univ.
-
Kawahito Shoji
Research Institute Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
香川 景一郎
静岡大学電子工学研究所
-
李 卓
静岡大学電子工学研究所
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所:ブルックマンテクノロジ
-
新岡 宏彦
大阪大学基礎工学研究科
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究科
-
香川 景一郎
静岡大学工学研究科
-
安富 啓太
静岡大学工学部
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所:株式会社ブルックマンテクノロジ
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