Impact of Nitrogen Profile in Gate Oxynitride on CMOS Characteristics
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概要
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- 1999-09-20
著者
-
OHKUBO Satoshi
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
田村 安孝
山形大学大学院理工学部
-
Ohkubo Shuichi
Ulsi Technology Laboratory Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Nakanishi Takuya
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Shinshu University
-
Shigeno M
Ulsi Technology Laboratory Fujitsu Laboratories Ltd.
-
NAKANISHI Toshiro
ULSI Research div., Fujitsu Laboratories Ltd.
-
TAKASAKI Kanetake
ULSI Research div., Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Takasaki K
Ulsi Technology Laboratory Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Takasaki Kanetake
Ulsi Research Div. Fujitsu Laboratories Ltd.
-
TAMURA Yasuyuki
ULSI Technology Laboratory, Fujitsu Laboratories Ltd.
-
SHIGENO Mayumi
ULSI Technology Laboratory, Fujitsu Laboratories Ltd.
-
IRINO Kiyoshi
ULSI Technology Laboratory, Fujitsu Laboratories Ltd.
-
OKUBO Satoshi
ULSI Technology Labs., Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Irino Kiyoshi
Fujitsu Ltd.
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