チタン陰極アークプラズマ中に置かれたトレンチ基材におけるパルス電圧印加に伴うイオンシース挙動およびイオン電流特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-03-14
著者
関連論文
- ICPを用いたC_フラグメンテーションの空間分布測定
- XeClエキシマレーザ励起放電におけるアーク移行と金属スペクトルの発生
- 正パルスバイアスPBII&D法によるTiNコーティングの予備実験
- コントロールグリッド付き軟X線式ジェットイオナイザの除電特性
- デュアルプラズマ法による絶縁物表面の加工特性
- CNx成膜のためのシャンティングアークを用いた炭素・窒素混合プラズマの生成
- 8a-Q-3 水中過渡アーク放電の陽光柱
- 5a-K-1 液中過度アーク放電の気ほう II
- 磁気駆動型シャンティングアークプラズマからのイオン引き出しとシース近辺の密度の算定
- 正バイアス電極を用いたシャンティングアークによる誘起プラズマの生成
- シャンティングアーク放電誘起プラズマの電流特性
- 全方位シャンティングアーク放電による窒素を含むアモルファスカーボン薄膜生成
- ターゲット電流を用いたシャンティングアークプラズマの密度計測
- シャンティングアークアシストRF(195kHz)放電のイオン電流とイオン密度
- シャンティングアークアシストRF(195kHz)放電の発光スペクトル
- 大気圧高周波パルス放電特性の駆動電圧スルーレート依存性
- 大気圧非平衡プラズマによるH_2/N_2/O_2系水素酸化特性とその反応メカニズム
- ZnOナノストラクチャーの化学的堆積について
- デュアルプラズマ配位におけるイオンエネルギーのガス圧力依存性
- 対向電極型大電力パルススパッタ(HPPS)グロー放電と195kHz-RF放電のハイブリッド放電におけるガス変化による電気的特性の違い
- デュアルプラズマ配位における絶縁性基材の帯電中和条件の検討
- ハイパワーパルススパッタ(HPPS)マグネトロン放電装置の特性
- 対向電極型ハイパワーパルススパッタ(HPPS)グロー放電からの金属イオンの引き出しおよび基材面のプラズマ密度
- ハイパワーパルススパッタ(HPPS)マグネトロン放電の電気的特性および発光スペクトル
- 対向電極型大電力パルススパッタ(HPPS)グロー放電と195kHz-RF放電によるハイブリッド放電の電気的特性
- シャンティングアークによる成膜プロセス
- シャンティングアーク放電プラズマの構造解析
- グリッド制御を用いたプラズマイオンプロセス
- ハイパワーパルススパッタグロー放電(HPPS)による発光スペクトルの観測およびプラズマ密度の検討
- 負パルス-デュアルプラズマ法の基礎特性とポリマー表面改質への応用
- 大気圧非平衡プラズマによる水素燃焼特性とその反応メカニズム
- ハイパワーパルススパッタグロー放電(HPPS)の電圧、電流特性および発光スペクトル
- 間欠誘電体バリア放電によるNOxガスの高効率直接脱硝
- 数十kW級大電力パルスグロー放電電気的特性の圧力依存性
- デュアルプラズマ配位の形成に対するグリッド粗さと印加電圧の効果
- 水素ガス導入によるICP合成ZnO透明導電膜の低抵抗化
- ZnO透明導電膜の抵抗率低減に向けた誘導結合型酸素プラズマ中Zn蒸気の観察
- ECRリモートプラズマを用いたCu_xO/ZnOヘテロ接合による光起電力の発生
- 質量選択的運動量制御に向けた亜鉛-酸素混合プラズマ中の透明導電膜合成
- バイアスされた高周波大気圧プラズマのプローブ計測
- 質量選択的運動量制御に向けたECR酸素プラズマの低温部引き出しと動重力増強の観察
- デュアルプラズマイオンプロセスにおける絶縁性基材の帯電制御
- 動重力効果を利用したプラズマイオンの選択的運動量制御によるZnO薄膜合成実験
- デュアルプラズマ含浸イオンプロセスによる絶縁物の表面処理
- プラズマイオン照射に伴うC_薄膜からの尖塔構造形成
- 正バイアス電極を持つ間欠ジルコニウムPBII&D法による酸化ジルコニウム膜生成
- シャンティングアークを用いた窒素含有プラズマ生成とCNx成膜への適用
- 同軸型回転プラズマ銃のプラズマ駆動特性に対する導電性メッシュの効果
- シャンティングアークを用いた複合プラズマにおける分光特性
- シャンティングアークによりトリガされた正バイアス電極に発生する誘起プラズマ特性
- ECRフラーレンプラズマを用いた炭素系薄膜の形成とプラズマ中イオン種計測
- 磁化プラズマ中におけるフラーレン堆積膜形成に及ぼす磁場の効果
- 接点開離金属アークを種とする正バイアス電極を用いた複合プラズマ生成
- CNTを用いた多極管型電界放射電子源の基礎特性
- 正バイアス・プラズマイオンプロセスの展開
- プラズマイオン注入における基材の三次元形状効果
- 炭素回転プラズマ流とフローティングメッシュの電磁相互作用
- プラズマイオン注入(PBII)におけるプラズマパルスバイアス法の試み
- 磁化された荷電粒子の選択的エネルギー制御に向けた低電子温度プラズマ源の開発
- チタン陰極アークプラズマ中に置かれたトレンチ基材におけるパルス電圧印加に伴うイオンシース挙動およびイオン電流特性
- 25pB15p 炭素回転プラズマの駆動特性に及ぼすフローティングメッシュの効果(ヘリカル/プラズマ応用)
- プラズマイオン注入における電圧パルスの減衰時間と電極シースの崩壊挙動との関係
- 高感度チャージプレートモニターとバイアスグリッドを用いた空気イオンバランス制御システム
- TOF質量分析装置を用いた分子性ガスのイオン化断面積の測定と残留農薬分析への応用
- ICP合成によるPET上ZnO透明導電膜の基材温度依存性
- ICP合成によるZnO透明導電膜のプラズマパラメータ依存性
- Cu_2O/ZnO系PVの作製に向けたECR酸素プラズマによる銅基板の酸化実験
- 大電力パルスマグネトロンスパッタによる高密度メタルプラズマの生成と空間分布
- 集束型デュアルプラズマにおける高密度プラズマの生成と帯電中和特性
- 中性気体中における回転プラズマの不安定性と渦構造の形成
- 多接合太陽電池向けフルスペクトルZnO透明導電膜の低気圧高周波プラズマ合成
- ハイパワーパルスマグネトロンスパッタプラズマ源のガス圧力依存性
- 混合プラズマにおける電極入射イオンのパルス変調によるエネルギー制御
- プロセスチャンバー汚損内壁の環境調和型プラズマクリーニング法の検討
- 大電力パルスマグネトロンスパッタリングにおける磁界分布の影響
- 高密度・高電離度金属プラズマの発生に関する研究
- レーザーイオン化質量分析による残留農薬測定法の開発研究 : 試料導入条件の調査
- ICP合成によるZnO透明導電膜の光吸収係数のプロセス条件依存性
- Cu_2O系PVセルのECR酸素プラズマ作製におけるセル特性のプロセス条件依存性
- 大電力パルスアンバランスドマグネトロンスパッタリングにおける磁界分布依存性
- イオンビームによる半導体や絶縁物表面の平坦化
- ECRプラズマ作製によるCu_2O系PVセルの真空特性
- レーザーイオン化質量分析による食品残留農薬の迅速分析の試み (センシング技術の新たな展開と融合) -- (光応用計測)
- 高機能ZnO透明導電膜のICP安定合成に向けた亜鉛-酸素混合プラズマの分光観察
- 大電力パルスマグネトロンスパッタによる高密度メタルプラズマの生成と空間分布
- ICP合成によるPET上ZnO透明導電膜の基材温度依存性
- ICP合成によるZnO透明導電膜のプラズマパラメータ依存性
- 集束型デュアルプラズマにおける高密度プラズマの生成と帯電中和特性
- Cu_2O/ZnO系PVの作製に向けたECR酸素プラズマによる銅基板の酸化実験
- 高感度チャージプレートモニターとバイアスグリッドを用いた空気イオンバランス制御システム
- 高機能ZnO透明導電膜のICP安定合成に向けた亜鉛-酸素混合プラズマの分光観察
- レーザーイオン化質量分析による残留農薬測定法の開発研究 : 試料導入条件の調査
- ICP合成によるZnO透明導電膜の光吸収係数のプロセス条件依存性
- 大電力パルスアンバランスドマグネトロンスパッタリングにおける磁界分布依存性
- Cu_2O系PVセルのECR酸素プラズマ作製におけるセル特性のプロセス条件依存性
- イオンビームによる半導体や絶縁物表面の平坦化
- Si基板上Mgスパッタ膜のアニール処理によるMg_2Siの合成
- Si基板上Mgスパッタ膜のアニール処理によるMg_2Siの合成
- レーザーイオン化質量分析法による残留農薬一斉分析に向けた研究
- コロナ放電荷電粒子の生成と輸送特性に及ぼす雰囲気ガスの効果