Si基板上のTi_<1-x>Al_xN薄膜の結晶配向性
スポンサーリンク
概要
著者
-
田中 克彦
(株)村田製作所
-
櫻井 敦
(株)村田製作所
-
白露 幸祐
(株)村田製作所
-
坂部 行雄
(株)村田製作所
-
田中 克彦
村田製作所
-
李 効民
株式会社 村田製作所
-
李 効民
R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.
-
桜井 敦
R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.
-
白露 幸祐
R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.
-
田中 克彦
R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.
-
坂部 行雄
R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.
-
桜井 敦
(株)村田製作所
-
桜井 敦
村田製作所
-
白露 幸祐
R & D Division Murata Mfg. Co. Ltd.
関連論文
- ナノクリスタルにおける新材料設計課題 (特集 ナノクリスタルセラミックスの新展開)
- MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
- Si 基板上 PZT-PZN 圧電体厚膜の低温形成(半導体・エレクトロニクス)
- マイクロデバイス用 PZT-Si 機能材料一体化技術
- スクリーン印刷法によるPZT-PZN系圧電体厚膜の圧電特性の向上
- 2E06 スクリーン印刷法による圧電体厚膜の低温形成と高密度化
- F-1327 スクリーン印刷法によるPZT-PZN圧電体厚膜の低温形成とアクチュエータの特性(S49-2&S48 マイクロエネルギー(2)/精密機器マイクロメカトロニクス)(S49 マイクロエネルギー)
- 28pYR-4 正方晶BaTiO_3の弾性的性質に関する第一原理計算
- Si基板上PZTエピタキシャル薄膜の形成
- 1E13 低温焼成プロセスによる PZT 系厚膜の作製
- PZT-PZN系圧電体厚膜の低温形成
- 25aYJ-8 FLAPW法によるPbTiO_3-Pd界面の研究
- Si基板上のTi_Al_xN薄膜の結晶配向性
- 単一溶液原料を用いた化学気相成長法によるMn添加(Ba, Sr)TiO_3薄膜の合成
- センサ・アクチュエータ用無機能性薄膜プロセス技術 III.ECRスパッタ法を用いたPZT薄膜の形成と評価
- 2G02 マイクロエマルジョン法で合成した BaTiO_3 ナノ粒子の焼結挙動
- 1L03 先端電子機器用セラミックスの開発動向
- 2D18 ドナー添加 BaTiO_3 半導体の酸素欠陥
- 1D02 超微粒 BaTiO_3 の焼結過程のその場観察
- 3A18 コンデンサ用鉛系複合ペロブスカイト型誘電体材料における A/B 比とその誘電特性
- 2D18 六フッ化チタン酸の加水分解を利用したチタン酸鉛の薄膜形成
- 2A22 ZnTiNiO 系 PTC 材料の電気的性質
- 3D14 電極に添加した酸化マンガンがバリスタ特性に及ぼす影響
- 2C35 SrTiO_3 系誘電体を用いた銅電極積層コンデンサの特性
- 1B21 BaTiO_3 系半導体セラミックスの析出相の分析
- ナノクリスタルにおける新材料設計課題
- 20pXA-12 チタン酸バリウム磁器 : 進化と将来の展望(招待講演,誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- がんばれ"もの創りニッポン"!
- 無鉛圧電セラミックス材料実用化への課題 (特集:環境にやさしい非鉛系圧電材料--セラミックスを中心として)
- 2p-B-7 ペロブスカイト型酸化物固溶体の相転移
- Ba_Sr_TiO_3の立方晶-六方晶転移に及ぼす焼成雰囲気の影響 : 組成・構造
- C-8 2次高調波を利用した厚み縦振動のエネルギー閉じ込めに関する有限要素法解析(圧電材料・振動子)
- 28a-L-8 BaYCuO系酸化物高温超伝導体のESR
- 26a-M-11 積層圧電磁器板における厚み縦2次高調波のエネルギー閉じ込め現象
- 最新セラミック材料シリーズ-14-誘電体材料
- 2a-BD-5 BaTiO_3 系固溶体の相転移 I
- チタン酸バリウム系廃材の低温リサイクルプロセス
- チタン酸バリウム系廃棄物の光触媒用酸化チタンへのリサイクル
- 2I03 BaTiO_3 の合成過程のその場観察
- 3L15 セラミック/高分子系フォトニック結晶のミリ波特性
- エピタキシャル AI 電極を用いた SAW 共振子
- 1PD-7 エピタキシャルAl電極を用いたSAWデバイス(弾性表面波,ポスターセッション(概要講演))
- レーザーアブレーション法による(Sr,Ba)Nb(O()エピタキシャル薄膜の作製と結晶性評価関西支部研究例会の講習要旨
- スパッタリング法で作製したSrTiO_3薄膜の結晶性と誘電特性
- (Sr,Ba)Nb_2O_6薄膜の作製と基礎特性
- ECRスパッタ法によるInSb薄膜の組成制御
- ECRスパッタ法によるInSb薄膜の作製
- 携帯型電子機器の発展に寄与した機能性セラミックス
- ニッケル積層コンデンサーの誕生
- 積層コンデンサー製法の新しい試み
- 強誘電体セラミックス-技術革新をもたらしたBaTiO_3とPb(Ti,Zr)O_3-
- MOCVD法による(Ba,Sr)TiO3薄膜積層コンデンサの試作及び評価 (特集 製造プロセス技術の新展開(1))
- 発振子用非鉛圧電セラミックス材料の開発
- PB-14 SAWデバイス用エピタキシャルAl電極 : エピタキシャルAl膜on回転YカットLiNbO_3(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- PC22 SAWデバイス用エピタキシャルAl電極 : エピタキシャルAl膜on 36°回転YカットLiTaO_3(ポスタセッションC-概要講演・展示)
- オルソチタン酸バリウムを用いたCO_2吸収材の開発
- 525 Cu入りはんだとNiの接合界面分析
- Y_2O_3安定化ZrO_2-ZrSiO_4系セラミックスのイオン伝導性(イオン伝導性セラミックス)(導電性セラミックス)
- BaTiO3磁器の酸素欠陥と誘電特性 (セラミックスと酸素)
- セラミックコンデンサ (電気化学とコンデンサ)
- 26pGAA-2 電子セラミックスの発展歴史と今後の展望(26pGAA 領域10シンポジウム:誘電体応用研究最前線-Theory meets industry-,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pRC-2 電子セラミックスの発展歴史と今後の展望(23pRC 領域10シンポジウム-Theory meets industry-:誘電体応用研究最前線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- セラミックコンデンサ材料における最近の進歩 (エレクトロニクスセラミックス--現状と展望)
- 脱貴金属が可能になった--ニッケル電極積層磁器コンデンサ- (セラミックスニュ-フェ-ス)
- 誘電体を利用したマイクロカロリーメーターの検討