レーザーアブレーション法による(Sr,Ba)Nb(O()エピタキシャル薄膜の作製と結晶性評価関西支部研究例会の講習要旨
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-06-20
著者
-
田中 克彦
(株)村田製作所
-
田中 克彦
村田製作所
-
田中 克彦
(株)村田製作所 技術開発本部
-
中川原 修
(株)村田製作所 技術開発本部
-
志牟田 亨
(株)村田製作所 技術開発本部
-
片山 祐三
(株)村田製作所 技術開発本部
-
片山 祐三
(株)村田製作所
関連論文
- MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
- Si 基板上 PZT-PZN 圧電体厚膜の低温形成(半導体・エレクトロニクス)
- マイクロデバイス用 PZT-Si 機能材料一体化技術
- スクリーン印刷法によるPZT-PZN系圧電体厚膜の圧電特性の向上
- 2E06 スクリーン印刷法による圧電体厚膜の低温形成と高密度化
- F-1327 スクリーン印刷法によるPZT-PZN圧電体厚膜の低温形成とアクチュエータの特性(S49-2&S48 マイクロエネルギー(2)/精密機器マイクロメカトロニクス)(S49 マイクロエネルギー)
- 28pYR-4 正方晶BaTiO_3の弾性的性質に関する第一原理計算
- Si基板上PZTエピタキシャル薄膜の形成
- 1E13 低温焼成プロセスによる PZT 系厚膜の作製
- PZT-PZN系圧電体厚膜の低温形成