エピタキシャル AI 電極を用いた SAW 共振子
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概要
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SAWデバイスの高周波化に伴いAI電極のストレスマイグレーション(SM)が問題になっている.我々はSAWデバイスのSM対策としてAI電極膜のエピタキシャル(エピ)膜化を初めて検討した.本論文は水晶基板を用いたSAW共振子のAI電極膜のエピ膜化の詳細を述べたものである.成膜方法は真空蒸着法で,緩やかな成膜条件でAIのエピ成長が可能であった.エピ関係は(311)<233>AI//(032)<100>SiO_2であった.このエピAI膜/水晶基板を用いたSAW共振子のSM寿命を従来のSM対策であるCu添加多結晶AI膜と比較すると2,000倍以上の長寿命となり,許容印加電力値も1けた程度の改善が期待できた.そのほか,エピ膜の成長様式,エレクトロマイグレーション寿命についても述べた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-02-25
著者
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