2p-B-7 ペロブスカイト型酸化物固溶体の相転移
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23pYF-6 BaTiO_3セラミックスナノクラスターの第一原理的研究(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
26aZB-4 リチウムの単層グラファイト表面における吸着安定性 : 理論的研究(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
ナノクリスタルにおける新材料設計課題 (特集 ナノクリスタルセラミックスの新展開)
-
MOCVD法によるPZT薄膜のエピタキシャル成長
-
Si 基板上 PZT-PZN 圧電体厚膜の低温形成(半導体・エレクトロニクス)
-
マイクロデバイス用 PZT-Si 機能材料一体化技術
-
スクリーン印刷法によるPZT-PZN系圧電体厚膜の圧電特性の向上
-
2E06 スクリーン印刷法による圧電体厚膜の低温形成と高密度化
-
F-1327 スクリーン印刷法によるPZT-PZN圧電体厚膜の低温形成とアクチュエータの特性(S49-2&S48 マイクロエネルギー(2)/精密機器マイクロメカトロニクス)(S49 マイクロエネルギー)
-
28pYR-4 正方晶BaTiO_3の弾性的性質に関する第一原理計算
-
Si基板上PZTエピタキシャル薄膜の形成
-
1E13 低温焼成プロセスによる PZT 系厚膜の作製
-
PZT-PZN系圧電体厚膜の低温形成
-
25aYJ-8 FLAPW法によるPbTiO_3-Pd界面の研究
-
Si基板上のTi_Al_xN薄膜の結晶配向性
-
単一溶液原料を用いた化学気相成長法によるMn添加(Ba, Sr)TiO_3薄膜の合成
-
2G02 マイクロエマルジョン法で合成した BaTiO_3 ナノ粒子の焼結挙動
-
1L03 先端電子機器用セラミックスの開発動向
-
2D18 ドナー添加 BaTiO_3 半導体の酸素欠陥
-
1D02 超微粒 BaTiO_3 の焼結過程のその場観察
-
3A18 コンデンサ用鉛系複合ペロブスカイト型誘電体材料における A/B 比とその誘電特性
-
2D18 六フッ化チタン酸の加水分解を利用したチタン酸鉛の薄膜形成
-
2A22 ZnTiNiO 系 PTC 材料の電気的性質
-
3D14 電極に添加した酸化マンガンがバリスタ特性に及ぼす影響
-
2C35 SrTiO_3 系誘電体を用いた銅電極積層コンデンサの特性
-
1B21 BaTiO_3 系半導体セラミックスの析出相の分析
-
ナノクリスタルにおける新材料設計課題
-
20pXA-12 チタン酸バリウム磁器 : 進化と将来の展望(招待講演,誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
がんばれ"もの創りニッポン"!
-
無鉛圧電セラミックス材料実用化への課題 (特集:環境にやさしい非鉛系圧電材料--セラミックスを中心として)
-
2p-B-7 ペロブスカイト型酸化物固溶体の相転移
-
Ba_Sr_TiO_3の立方晶-六方晶転移に及ぼす焼成雰囲気の影響 : 組成・構造
-
C-8 2次高調波を利用した厚み縦振動のエネルギー閉じ込めに関する有限要素法解析(圧電材料・振動子)
-
28a-L-8 BaYCuO系酸化物高温超伝導体のESR
-
26a-M-11 積層圧電磁器板における厚み縦2次高調波のエネルギー閉じ込め現象
-
最新セラミック材料シリーズ-14-誘電体材料
-
2a-BD-5 BaTiO_3 系固溶体の相転移 I
-
チタン酸バリウム系廃材の低温リサイクルプロセス
-
チタン酸バリウム系廃棄物の光触媒用酸化チタンへのリサイクル
-
2I03 BaTiO_3 の合成過程のその場観察
-
2I03 BaTiO_3 の合成過程のその場観察
-
第3回強誘電体国際会議報告
-
30a-SC-4 SbSI系固溶体の相転移
-
携帯型電子機器の発展に寄与した機能性セラミックス
-
ニッケル積層コンデンサーの誕生
-
積層コンデンサー製法の新しい試み
-
強誘電体セラミックス-技術革新をもたらしたBaTiO_3とPb(Ti,Zr)O_3-
-
MOCVD法による(Ba,Sr)TiO3薄膜積層コンデンサの試作及び評価 (特集 製造プロセス技術の新展開(1))
-
3p-KN-8 強誘電体データベースの作製
-
1a-F-3 SbSIの誘電的性質
-
SbSIの強誘電的相転移
-
12a-Q-2 SbSIの熱電的性質
-
4a-H-10 SbSIの光学的性質
-
オルソチタン酸バリウムを用いたCO_2吸収材の開発
-
525 Cu入りはんだとNiの接合界面分析
-
Y_2O_3安定化ZrO_2-ZrSiO_4系セラミックスのイオン伝導性(イオン伝導性セラミックス)(導電性セラミックス)
-
SbSIの誘電的性質 II : 誘電体
-
30a-T-13 SbSIの誘電的性質IV
-
SbSIの熱電的性質 II : 誘電体
-
SbSI単結晶の導電現象
-
1p-M-6 チタン酸バリウムの発見の経緯
-
30a-RD-6 BaTiO_3系固溶体の相転移 III
-
5a-NB-10 SbSIの導電率
-
SbSIの吸収端電界効果(II)
-
2a-H-6 BaTiO_3系固溶体の相転移. II
-
2a-C-1 マイクロコンピュータを用いた自発分極の測定
-
4p-AA-6 BaTiO_3系固溶体の誘電損失
-
SbSIの結晶成長
-
SbSIの吸収端電界効果(I)
-
6a-N-2 SbSIの吸収端の電界による移動
-
Sb_1-xBi_xSIの誘電的性質
-
10p-P-5 SbSIの光学的性質(III) : 吸収端の移動と分極の関係
-
SbSIの吸収端におよぼす電界および温度の効果
-
BaTiO3磁器の酸素欠陥と誘電特性 (セラミックスと酸素)
-
セラミックコンデンサ (電気化学とコンデンサ)
-
ペロブスカイト型強誘電体固溶体の相転移
-
26pGAA-2 電子セラミックスの発展歴史と今後の展望(26pGAA 領域10シンポジウム:誘電体応用研究最前線-Theory meets industry-,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
23pRC-2 電子セラミックスの発展歴史と今後の展望(23pRC 領域10シンポジウム-Theory meets industry-:誘電体応用研究最前線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
セラミックコンデンサ材料における最近の進歩 (エレクトロニクスセラミックス--現状と展望)
-
脱貴金属が可能になった--ニッケル電極積層磁器コンデンサ- (セラミックスニュ-フェ-ス)
-
誘電体を利用したマイクロカロリーメーターの検討
-
3a-PS-66 BaYCuO系酸化物高温超伝導体のESR II(低温(酸化物超伝導体))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク