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Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc. | 論文
- 直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
- HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製
- 高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
- Low Temperature Heteroepitaxial Growth of a New Phase Lead Zirconate Titanate Film on Si Substrate with an Epitaxial(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x Buffer Layer
- エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- エピタキシャルZrN薄膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- スパッタ法によるシリコン基板上へのPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Material Properties of Heteroepitaxial Ir and Pb (Zr_xTi_) O_3 Films on (100) (ZrO_2)_(Y_2O_3)_x/(100) Si Structure Prepared by Sputtering
- 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Characterization of Pb(Zr_xTi_)O_3 Thin Film on Silicon Substrate with Heteroepitaxial Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Buffer Layer
- Low Voltage Saturation of Ob(Zr_xTi_O_3 Films on(100)Ir/(100)(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x/(100)Si Substrate Structure Prepared by Reactive Sputtering
- Determination of Material Thermal Properties Using Photoacoustic Signals Detected by a Transparent Transducer
- Analysis of Pyroelectric Signal in Photoacoustic Spectroscopy Using a Transparent Transducer
- Influence of Piezoelectric and Pyroelectric Effects on Signal of PAS Using a Transparent Transducer : Photoacoustic Spectroscopy and Ultrasonic Imaging
- Theoretical Analysis of Photoacoustic Signal on PAS Using a Transparent Transducer : Photoacoustic Effect and Spectroscopy
- Consideration on PA Signals of Multilayer Structure Measured by PAS Using Transparent Transducer : Photoacoustic Spectroscopy
- High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties