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Necエレクトロニクス | 論文
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- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡のLSI故障解析への応用
- 広帯域・大容量メモリ搭載SMAFTIパッケージ技術 (電子デバイス特集) -- (先端製品を支える共通技術・基盤技術)
- 高密度チップ間接続構造パッケージの開発
- 多ピン・薄型LSI内蔵パッケージの電気特性評価(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- アナデジ混載システムにおけるチップ,パッケージ,ボードの微小ノイズ設計/検証技術開発(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-12-15 負性ソースデジェネレーション抵抗 gm アンプを用いた超広帯域可変 CMOS Gm-C フィルタ
- 高性能システム・オン・チップを実現する最先端CMOSプロセス「UX5」 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
- 超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
- 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
- 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
- 超音波接合法を用いたLSIチップ間バンプ接続・封止技術(SiP要素技術と先端LSIパッケージ)(最近の半導体パッケージと高速伝送・高周波実装技術論文特集)
- 個別半導体 セミパワー系MOSFET製品群の開発 (半導体デバイス特集) -- (ディスクリートデバイス)